在闪锌矿结构的GaN中,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应.基于这种机制的GaN n+n n+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内.从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以及振荡频率对振荡器两端所加电场的依赖关系,并预言了利用GaN负微分电阻振荡器作为可调谐太拉赫兹源的理论可能性.
参考文献
| [1] | Krishnamurthy S;Schilfgaarde M van;Sher A et al.Bandstructure effect on high-field transport in GaN and GaNAl[J].Applied Physics Letters,1999,71:1997. |
| [2] | Joshi R P;Viswanadha S .Monte carlo analysis of GaN-based Gunn Oscillators for microwave power generation[J].Journal of Applied Physics,2003,4836 |
| [3] | Cao J C;Lei X L .Chaotic dynamics in terahertiz-driven semiconductors with negtive effective mass[J].Physical Review B,2001,115308 |
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