C波段单片低功耗低噪声放大器

稀有金属, 2004, 28(6): 1085-1087. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.06.027

C波段单片低功耗低噪声放大器

彭龙新 ^1, , 李建平 ^2, , 林金庭 ^3, , 魏同立 ^4,

1.南京电子器件研究所,江苏,南京,210016

2.南京电子器件研究所,江苏,南京,210016

3.南京电子器件研究所,江苏,南京,210016

4.东南大学微电子中心,江苏,南京,210096

关键词：微波单片集成电路 , 低功耗 , 赝配高电子迁移率晶体管 , 低噪声放大器

C-band Low DC Power MMIC Low Noise Amplifier

报道了一种新型的C波段0.5μm PHEMT单片低功耗低噪声放大器.该放大器由三级级联构成,采用电流回收技术,实现了低功耗的目的.芯片面积为2.1×1.8 mm2,直流功耗为125 mW(VD=5 V,ID≤25 mA).封装后测试结果为:在C波段,带宽1.1 GHz,增益＞25.7dB,增益平坦度≤±0.6dB,噪声系数≤1.72dB,输入、输出电压驻波＜2:1;带内最小噪声系数为1.61dB,相关增益为26.3dB.测量结果与设计符合得较好.

参考文献

[1]	Choi B G;Lee Y S;Yoon K S.Low noise PHEMT and its MMIC implementation for C-band applications[A].,2000:56.
[2]	Vijay Nair.Low current enhancement mode MMICs for portable communication applications[A].,1989:67.
[3]	Urs Lott.Low DC power monolithic low noise amplifier for wireless applications at 5 GHz[A].,1996:81.
[4]	Frank Ellinger;Urs Lott;Werner Bachtold.Ultra low power GaAs MMIC low noise amplifier for smart antenna combining at 5.2GHz[A].,2000:157.
[5]	Scherrer D;Apostolakis P J;Middleton J.Optimal noise matching of 0.25 micron gate GaAs MESFETs for low power personal communications receiver circuit designs[A].,1994:1439.

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