对N型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后在不同温度下进行常规热处理,对比研究了不同辐照剂量的样品少子寿命和电阻率随退火温度的变化.结果表明:直拉硅单晶样品经电子辐照后电阻率增加,少子寿命下降,辐照剂量越高电阻率增加的越多,少子寿命下降越明显.对辐照样品进行不同温度热处理发现热处理温度低于600℃,少子寿命基本处于稳定值,当退火温度达到650℃时,辐照样品的电阻率与少子寿命均恢复至辐照前的初始值,表明在该温度下辐照引入的缺陷基本消除,因此晶体的导电能力逐渐恢复.而经750℃热处理后,辐照样品的少子寿命和电阻率分别出现一个低谷,辐照剂量越高电阻率和少子寿命值在该温度下下降幅度越大,而且随着热处理时间的延长,辐照样品电阻率不断下降,通过间隙氧含量的测量也初步证明电阻率的下降与间隙氧原子的偏聚有关,该温度下电阻率的下降与辐照相关联.
参考文献
| [1] | 尚也淳,张义门,张玉明.电子辐照下的SiC少子寿命退化模型[J].半导体学报,2000(02):169-173. |
| [2] | 艾尔肯,郭旗,任迪远,余学峰,陆妩,严荣良.超薄和超薄绒面Si太阳电池的1-MeV电子辐照特征[J].核技术,2004(04):277-280. |
| [3] | Falster R.;Voronkov VV. .The engineering of intrinsic point defects in silicon wafers and crystals[J].Materials Science & Engineering, B. Solid-State Materials for Advanced Technology,2000(1/3):87-94. |
| [4] | 吴凤美,赖启基,沈波,周国泉.电子辐照硅层中缺陷能级的研究[J].物理学报,1986(05):638-642. |
| [5] | 蔡莉莉,陈贵锋,张辉,郝秋艳,薛晶晶.低温热处理对电子辐照直拉硅中V-O缺陷的影响[J].硅酸盐学报,2011(05):859-862. |
| [6] | 蔡莉莉,李海军.电子辐照直拉硅V-O相关缺陷的红外研究[J].稀有金属,2009(02):227-231. |
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