采用监测溶液电导率的方法,研究了碳酸钙的结垢速率,包括晶核生长速率和晶粒长大速率,以及温度和阻垢剂对碳酸钙结垢速率的影响.可以计算出在不同温度、不同阻垢剂时碳酸钙结垢的反应速率常数及活化能.实验表明,晶核生长和晶粒长大速率可以用一级反应方程来表示.温度、阻垢剂主要对晶核生长的反应速率产生影响.反应温度愈高,晶核生长的反应速率愈快.在一定的过饱和度范围内,加入一定浓度的阻垢剂,可以延长反应的诱导期,并且降低晶核生长的速率,但是并不改变反应级数.过饱和溶液中一旦有晶核生成,晶粒很容易长大,即溶液中晶粒长大的条件是有晶核的存在,而温度、阻垢剂对之影响甚微.
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