在不同温度下热解SnC2O4制备出纳米SnO2.利用XRD、红外光谱测试技术研究了SnO2的形貌、结构及晶粒生长过程,对它们的气敏性能进行了研究.结果表明,随着热解温度的不同,获得的颗粒尺寸不同.机理研究显示:650 ℃以上或650 ℃以下SnO2颗粒生长的方式不同.当热处理温度＜650 ℃时,晶核生长以表面扩散为主,晶粒生长缓慢;在650 ℃以上热解时,晶粒以晶界迁移进行粒子生长,生长比较迅速.热解温度对气敏灵敏度影响很大,对响应恢复时间影响不大.热解法合成的SnO2纳米材料具有较好的酒敏性能,650 ℃热处理所得样品的气敏性能最佳,在灵敏度、响应恢复时间上表现优良.
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