采用电容测试法研究了N80油套管钢在浓度为0.5 mol/L NaHCO3溶液中形成钝化膜的半导体性能,结合Mott-Schottky方程分析了测试频率,成膜电位和Cl-浓度对钝化膜半导体性能的影响. 电容测试结果表明,钝化膜呈n型半导体特性,Mott-Schottky曲线的斜率随着测试频率的增加、成膜电位的正移和溶液中氯离子浓度的增加而增加,相应地膜内的施主密度减小. 光电化学实验结果表明,光电流强度随成膜电位的正移及成膜时间的延长而增加,这主要归功于高电位和长时间下所成的钝化膜具有比较均匀的组成,光激发所成的空位或电子在膜内的迁移率的增加.
参考文献
| [1] | Dirz-Perez I,Corostiza P,Sanz F,Müller C.J Electrochem Soc[J],2001,148:B307 |
| [2] | Krishnamurthy B,While R E,Ploehn H J.Electrochim Acta[J],2002,47:3 375 |
| [3] | Carmezim M J,Sim(O)es A M,Montemor M F,Cunha Belo M Da.Corrosion Sci[J],2005,47:581 |
| [4] | Valéria A A,Christopher M A,Brett.Electrochim Acta[J],2002,47:2 081 |
| [5] | Ferreira M G S,Hakiki N E,Goodlet G,Faty S,Sim(o)es A M P,Cunha Belo M Da.Electrochim Acta[J],2001,46:3 767 |
| [6] | Hakiki N E,Montemor M F,Ferreira M G S,Cunha Belo M Da.Corrosion Sci[J],2000,42:687 |
| [7] | Sikora J,Sikora E,Macdonald D D.Electrochim Acta[J],2000,45:1 875 |
| [8] | Stimming U.Froment M Edn.Passivity of Metals and Semiconductors[M].Elsevier,Amsterdam,1983:477 |
| [9] | Büchler M,Schmuki P,Bühui H.Electrochim Acta[J],1997,43:635 |
| [10] | Sikora J,Sikora E,Macdonald D D.Electrochim Acta[J],2000,45:1 875 |
| [11] | Schmuki P,B(o)hni H.Electrochim Acta[J],1995,40:775 |
| [12] | Cheng Y F,Luo J L.Appl Surf Sci[J],2000,167:113 |
| [13] | Kim J S,Cho E A,Kwon H S.Corrosion Sci[J],2001,43:1 403 |
| [14] | GUAN Zhen-Duo(关振铎),ZHANG Zhong-Tai(张中太),JIAO Jin-Sheng(焦金生).(无机材料物理性能).Beijing(北京):(清华大学出版社),1992:246 |
| [15] | Macdonald D D.J Electrochem Soc[J],1992,139:3 434 |
| [16] | LIN Yu-Hua(林玉华),LIN Rong-Gui(林荣归),HU Rong-Gang(胡融刚),LIN Chang-Jian(林昌建).Acta Phys-chim Sin(物理化学学报)[J],2005,21:740 |
| [17] | Stimming U.Electrochim Acta[J],1986,31:415 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%