以剥层重堆法制备了NH+4/MoS2插层复合物,该复合物可以作为长期储存的单层MoS2,同时也可作为先驱体以便插入其它客体分子制成新的插层复合物.通过XRD、热重分析和元素分析等测试技术对该插层复合物进行了表征.结果表明,MoS2经NH+4插层后,其层间距由0.615nm增加到0.954nm,由元素分析和热重分析得出插层复合物的组成分别为(NH+4)3.1 MoS2 和(NH+4 )2.9 MoS2 . 插层复合物在空气中放置30 d后,其XRD和热重分析的结果表明该插层复合物的储存稳定性良好. 此外,插层复合物的插层程度受氯化铵溶液浓度、反应温度、反应时间等反应条件的影响,质量分数为1.0%的氯化铵溶液, 反应温度30 ℃和反应时间12 h,所得到的NH+4 /MoS2插层复合物层间距最大.
参考文献
[1] | GUO Sheng-Ping(郭胜平),WU Wei-Duan(吴伟端).Chinese Molybdenum Ind(中国钼业)[J],2004,28(5):41 |
[2] | SHAO Xin(邵鑫),TIAN Jun(田军).Chem J on Internet(国际网络化学学报)[J],2001,10:w093 |
[3] | LIN Bi-Zhou(林碧洲),PEI Xiao-Ke(裴小科),ZHANG Jin-Fei(张进飞),LIU Pei-De(刘培德),WU Ji-Huai(吴季怀).Chinese J Inorg Chem(无机化学学报)[J],2004,20(9):1 023 |
[4] | Bissessur R,Haines R I,Bruning R.J Mater Chem[J],2003,13:44 |
[5] | Bissessur R,Gallant D,Bruning R.Mater Chem Phys[J],2003,82:316 |
[6] | Kosidowski L,Powell A V.Chem Commun[J],1998:2 201 |
[7] | Lemmon J P,Lerner M M.Chem Mater[J],1994,6:207 |
[8] | Golub A S,Shumilova I B,Zubavichus Y V,Jahncke M,Fink G S,Danot M,Novikov Y N.J Mater Chem[J],1997,7(1):163 |
[9] | SUO Da-Peng(索大鹏),CHEN Zhi-Gang(陈志刚),YANG Juan(杨娟).Chinese Bull Ceramic Soc(硅酸盐通报)[J],2004,4:9 |
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