以变形铝合金6061为实验材料,在六偏磷酸钠质量浓度为8 g/L、硅酸钠质量浓度为5 g/L的溶液中,研究了电流密度、占空比、样品尺寸和溶液温度等因素对微弧氧化陶瓷层生长速度的影响. 结果表明,电流密度越大,样品表面的电压越高,高电压提高了陶瓷层被击穿继续发生内部氧化的能力,陶瓷层生长速度随电流密度的增加以1.425×10-9 m3/(min·A)的速率线性上升. 占空比大小对陶瓷层生长速度几乎无影响,各占空比条件下的生长速率接近0.5 μm/min,而电压随着占空比的减小发生微小的上升. 不同尺寸样品的陶瓷层生长速率均约为0.31 μm/min,但是电压随样品尺寸增大而升高. 溶液温度升高提高了溶液中HSiO-3和H2PO2-3离解程度,增强了溶液的导电能力和离子的扩散能力,使陶瓷层的生长速度加快, 10、20和30 ℃下的生长速度分别为0.35、0.38和0.41 μm/min.
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