X射线研究CeO2缓冲层

低温物理学报 , 1999, 21(1): 30-34. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.1999.01.006

X射线研究CeO2缓冲层

王荣平 ^1, , 周岳亮 ^2, , 潘少华 ^3, , 吕惠宾 ^4, , 陈正豪 ^5,

1.中国科学院物理研究所光物理实验室,中国科学院凝聚态物理中心,北京,100080

2.中国科学院物理研究所光物理实验室,中国科学院凝聚态物理中心,北京,100080

3.中国科学院物理研究所光物理实验室,中国科学院凝聚态物理中心,北京,100080

4.中国科学院物理研究所光物理实验室,中国科学院凝聚态物理中心,北京,100080

5.中国科学院物理研究所光物理实验室,中国科学院凝聚态物理中心,北京,100080

基金项目: 国家超导技术联合研究开发中心资助项目

STUDY ON CeO2 THIN FILMS GROWN ON BIAXIALLY TEXTURED NICKEL (001) SUBSTRATES USING X-RAY DIFFRACTION

我们在有和无离子束辅助两种情形下,在双轴织构Ni基底上制备了CeO2薄膜,结果表明,无离子束辅助沉积时,薄膜表现出(111)取向,在离子能量为240eV,束流为200μA/cm2,基片温度为360℃的条件下沉积的CeO2薄膜呈现出良好的立方织构.另外,我们分析了薄膜应力随温度和离子辅助条件的变化关系,结果表明,离子束轰击可以减小薄膜应力,在360℃附近薄膜应力几乎被完全弛豫.

参考文献

[1]	R E Russo;R P Reade;J M McMillan et al.[J].Journal of Applied Physics,1990,68:1354.
[2]	Y Iijima;K Onabe;N Futaki et al.[J].Journal of Applied Physics,1993,74:1905.
[3]	X D Wu;S R Foltyn;P N Arendt et al.[J].Applied Physics Letters,1994,65:1961.
[4]	R P Reade;S R Church;R E Russo .[J].Review of Scientific Instruments,1995,66:3610.
[5]	D P Norton;A Goyal;J D Budai et al.[J].Science,1996,274:755.
[6]	M Paranthaman;A Goyal;F A List et al.[J].Physica C,1997,275:266.
[7]	Rongping Wang;Yueliang Zhou;Shaohua Pan et al.[J].Journal of Applied Physics,1998,84:1994.
[8]	B D Cullity.Elements of X-ray Diffraction[M].Addison-Wesley Publishing Company Inc,1978

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