用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

1.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050

2.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050

3.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050

4.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050

5.中国科学院离子束开放实验室,上海,200050

6.中国科学院离子束开放实验室,上海,200050

7.中国科学院离子束开放实验室,上海,200050

8.中国科学院离子束开放实验室,上海,200050

基金项目: 国家超导技术联合研究开发中心资助项目

YBCO FILMS DEPOSITED ON YSZ BY MOCVD

用低压MOCVD多源法在单晶YSZ和具有双轴取向IBAD-YSZ的金属基带上沉积了YBCO膜,它们的Jc(77.3K,0T)分别为～2×106A/cm2和～7×104A/cm2.分析了本试验中的Jc差别原因.在单晶YSZ上YBCO高Jc 数值显示了用MOCVD制备涂层膜导体的潜力.

[1]	Iijima et al.[J].IEEE Transactions on Applied Superconductivity,1993,3:1510.
[2]	X D Wu et al.[J].Applied Physics Letters,1995,67:2397.
[3]	D P Norton et al.[J].Science,1996,274
[4]	K Onabe et al.[J].Materials Transactions,1996,37:839.
[5]	任琮欣等.本会议报告[R].
[6]	V Selvamanickam.Applied Superconductivity Conference[C].Palm Desert,USA,1998

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