Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率的影响

低温物理学报 , 1999, 21(6): 468-468. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.017

Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率的影响

赵霞 ^1, , 孙学峰 ^2, , 范晓娟 ^3, , 吴文彬 ^4, , 朱长飞 ^5, , 李晓光 ^6,

1.中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026;中国科学院内耗与固体缺陷开放研究实验室,合肥,230031

2.中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026;中国科学院内耗与固体缺陷开放研究实验室,合肥,230031

3.中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026;中国科学院内耗与固体缺陷开放研究实验室,合肥,230031

4.中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,合肥,230026

5.中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026;中国科学院内耗与固体缺陷开放研究实验室,合肥,230031

6.中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026;中国科学院内耗与固体缺陷开放研究实验室,合肥,230031

Gd DOPING EFFECT ON THE CARRIER CONCENTRATION AND ANISOTROPIC RESISTIVITIES OF Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy SINGLE CRYSTALS

系统地研究了Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶超导电性及各向异性电阻率的影响.Tc满足Tc/Tc,max=1-82.6(ax+b)2,并随Gd含量的增加而下降,这是由于Gd掺杂引起载流子浓度减小所导致.在x≥0.19时,ρab(T)在Tc附近有类半导体行为,dρab/dT随Gd含量增大而增大.ρc(T)呈半导体行为,并可用唯象公式ρc(T)=(a/T)exp(Δ/T)+bT+c加以描述.电阻率各向异性ρc/ρab随掺杂浓度增大而增大.

参考文献

[1]	P Sumana Prabhu;M S Ramachandra Rao;U V Varadaraju;G V Subba Rao .[J].Physical Review B,1994,50:6929.
[2]	N L Wang;B Buschinger;C Geibel;F Steglich .[J].Physical Review B,1996,54:7449.
[3]	X F Sun;X Zhao;X -G Li;H C Ku .[J].Physical Review B,1999,59:8978.
[4]	H C Montgomery .[J].Journal of Applied Physics,1971,42:2971.
[5]	A A Abrikosov;L P Gor'kov .[J].Soviet Physics JETP,1961,12:1243.
[6]	Xiao-Guang Li;Xuefeng Sun;Wenbin Wu;Qianwang Chen,Lei Shi,Yuheng Zhang,Y Kotaka,K Kishio .[J].Physica C,1997,279:241.
[7]	Y F Yan;P Matl;J M Harris;N P Ong .[J].Physical Review B,1995,52:R751.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网