磁场下MgB2的电导涨落效应

低温物理学报 , 2001, 23(4): 269-274. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2001.04.006

磁场下MgB2的电导涨落效应

李慧玲 ^1, , 阮可青 ^2, , 李世燕 ^3, , 莫维勤 ^4, , 樊荣 ^5, , 罗习刚 ^6, , 陈仙辉 ^7, , 曹烈兆 ^8,

1.中国科学技术大学

2.中国科学技术大学

3.中国科学技术大学

4.中国科学技术大学

5.中国科学技术大学

6.中国科学技术大学

7.中国科学技术大学

8.中国科学技术大学

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(NKBRSF-G19990646)

THE EFFECT OF FLUCTUATIONMAGNETOCONDUCTANCE IN MgB2

测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系.测量结果表明:磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ(H)符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程.MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构.由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维,可推知MgB2中存在较强的层间耦合.

参考文献

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[8]	Ullah;Dorsey .[J].Physical Review B,1991(44):262.
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