YBCO体系中Ni替代位置分布的转移与正电子寿命参数的变化

低温物理学报 , 2003, 25(2): 81-87. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2003.02.001

YBCO体系中Ni替代位置分布的转移与正电子寿命参数的变化

李平林 ^1, , 曹桂新 ^2, , 邓冬梅 ^3, , 曹世勋 ^4, , 张金仓 ^5,

1.上海大学物理系,上海,200436

2.上海大学物理系,上海,200436

3.上海大学物理系,上海,200436

4.上海大学物理系,上海,200436

5.上海大学物理系,上海,200436

基金项目: 上海市教委资助项目国家自然科学基金(10274049)

关键词： YBCO , 高温超导 , Ni替代 , 正电子湮没

DISTRIBUTION TRANSFER OF Ni DOPING SITE AND CHARACTERISTICS OF POSITRON LIFETIME PARAMETERS FOR YBCO SYSTEMS

利用正电子湮没和X-射线衍射技术,对Ni替代的YBa2Cu3-xNixO7-δ(x=0.0～0.5)超导体系进行了系统研究,分析了体系的精细结构和正电子寿命参数的变化特征,给出了Ni替代位置在Cu(1)和Cu(2)位之间的可能转移以及与正电子寿命参数之间的关联.结果表明,在小替代浓度下,Ni主要占据Cu(2)位,随替代含量的增加,出现部分Ni向Cu(1)位转移,进一步增大Ni替代含量(x≥0.2),则出现部分Ni在Cu(1)和Cu(2)位之间随机分布,并伴随有杂相出现.同时,讨论了Ni对超导电性抑制的磁散射机理及其解释.

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