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通过对La1.88-yNdySr0.12CuO4系列多晶样品电阻率的测量,发现y=0.3,0.4,0.5,0.6样品的电阻率随着温度降低在50~80K之间出现一个小于5%的跳跃转变,转变前其导电行为呈金属性,转变后呈半导体性,暗示了体系中静态电荷有序的产生.随着Nd掺杂量y的增加,转变温度Tc0升高,跳跃转变宽度变窄.进一步的超声衰减测量显示,对应电荷有序温度Tc0,声速随温度降低开始出现异常硬化,衰减系数也出现峰值,随y的增加,衰减峰明显加强.实验结果表明, Nd掺杂的增加利于钉扎体系中的动态电荷关联而形成静态的电荷有序.这种作用可能主要是由于Nd掺杂引起体系局域结构畸变,低温四方相(LTT)结构畴比例增加并得以稳定引起的,说明LTT相利于静态电荷有序条纹的形成.

参考文献

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