制备条件对Pr123体系氧含量及正电子寿命谱影响

低温物理学报 , 2003, 25(z2): 461-465. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z2.032

制备条件对Pr123体系氧含量及正电子寿命谱影响

曹桂新 ^1, , 李平林 ^2, , 刘永生 ^3, , 曹世勋 ^4, , 张金仓 ^5,

1.上海大学物理系,上海,200436

2.上海大学物理系,上海,200436

3.上海大学物理系,上海,200436

4.上海大学物理系,上海,200436

5.上海大学物理系,上海,200436

基金项目: 国家自然科学基金(10274049)

关键词：正电子湮没 , 氧含量 , PrBa缺陷

EFFECT OF SINTERING ATMOSPHERE AND TEMPERATURE ON OXYGEN CONTENT AND POSITRON LIFETIME OF Pr123

为了澄清Pr抑制超导电性机理及Pr占Ba位问题,本文研究了不同的制备条件下PrBa2Cu3O7-δ(Pr123)样品的物性,分析了电阻率和氧含量随烧结温度不同所表现出的变化.结果表明,烧结温度为880℃时样品的电阻率最低,高于920℃时,电阻率最大,同时也不利于体系吸氧,这可能是由于PrBa缺陷而引起.正电子寿命谱也因此表现出相应的变化规律.短寿命τ1参数和中间寿命τ2参数均在900℃出现最低峰值.由此可知,单从温度条件考虑,制备Pr123的最佳烧结温度应该为900℃左右.

参考文献

[1]	L Soderholm et al.[J].Nature,1987,328:604.
[2]	A Shukla;L Hoffmann .[J].Physical Review B,1995,51:6028.
[3]	Zhigang Zou;Jinhua Ye .[J].Physical Review Letters,1998,80:1074.
[4]	H A Blackstead;D B Chrisey.[J].Physics Letters A,1995:109.
[5]	H A Blackstead .[J].John D Dow,Phys Rev,1996,B54:6122.
[6]	C-K chen et al.[J].PHYSICA C,1993,214:231.
[7]	Z P Han;R Dupree;D Mck Paul;A P Howes and L W J Caves .[J].PHYSICA C,1991,181:355.
[8]	Z Zou;K oka.[J].PHYSICA C,1997:481.
[9]	吴忠庆等.[J].低温物理学报,1999(21)
[10]	A Kebede;C S Jee .[J].Physical Review,1989,B40:4453.
[11]	B Okai;M Kosuge;H Nozaki .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1988(27):L41.
[12]	K Jung;J G Byrne;M C de Andrade;M B Maple .[J].Journal of Applied Physics,1995(78):5534.
[13]	L C Smedskjaer;B W Veal;D G Legnini et al.[J].Physical Review B,1988(150):50.
[14]	A G Balogh;W Puff;L Liszkay et al.[J].Physical Review,1998,B38:2883.
[15]	P 豪托贾维.正电子湮没技术[M].:255.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

制备条件对Pr123体系氧含量及正电子寿命谱影响

EFFECT OF SINTERING ATMOSPHERE AND TEMPERATURE ON OXYGEN CONTENT AND POSITRON LIFETIME OF Pr123

参考文献