MgO(111)上NbN和AlN薄膜的生长研究

低温物理学报 , 2005, 27(3): 207-210. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.03.004

MgO(111)上NbN和AlN薄膜的生长研究

陈亚军 ^1, , 康琳 ^2, , 蔡卫星 ^3, , 施建荣 ^4, , 赵少奇 ^5, , 吉争鸣 ^6, , 吴培亨 ^7,

1.南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093

2.南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093

3.南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093

4.南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093

5.南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093

6.南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093

7.南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093

关键词： NbN , AlN , 磁控溅射 , XRD , c轴取向

EPITAXIAL GROWTH OF AlN AND NbN FILMS ON (111) MgO SUBSTRATE

在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长工艺条件,XRD研究分析表明,我们获得了单晶结构良好的NbN薄膜;为了支持作为上电极的NbN薄膜的生长,也需要良好的AlN薄膜用作势垒层,我们采用射频磁控溅射设备和纯净的Al靶对AlN薄膜进行了制备研究.实验结果表明,所获得的AlN薄膜具有六方c-轴取向,并讨论了衬底和薄膜界面处可能的结构情况.

参考文献

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