LaTiO3+x薄膜生长氧压对薄膜结构和输运性能的影响

低温物理学报 , 2005, 27(z1): 465-469. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.015

LaTiO3+x薄膜生长氧压对薄膜结构和输运性能的影响

王奉波 ^1, , 李洁 ^2, , 雍俐培 ^3, , 黎松林 ^4, , 孙小松 ^5, , 郑东宁 ^6,

1.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;中国科学院物理研究所超导国家重点实验室,北京,100080

2.中国科学院物理研究所超导国家重点实验室,北京,100080

3.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;中国科学院物理研究所超导国家重点实验室,北京,100080

4.中国科学院物理研究所超导国家重点实验室,北京,100080

5.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

6.中国科学院物理研究所超导国家重点实验室,北京,100080

关键词：电子强关联 , Mott绝缘体 , 脉冲激光沉积

EFFECT OF OXYGEN PARTIAL PRESSURE ON STRUCTURAL AND TRANSPORT PROPERTIESIN LaTiO3+x THIN FILMS

利用脉冲激光沉积 (PLD)的方法,在750℃的生长温度,不同的氧气气氛下(6.6×10-4Pa～50Pa)制备了LaTiO3+x(LTO)薄膜.反射式高能电子衍射仪 (RHEED)实时监测表明我们所制备的薄膜表面平整光滑,面内取向较好.X射线衍射 (XRD)数据表明:LaTiO3+x薄膜特征峰的位置随生长氧压的变化而发生变化.当氧压增大时,衍射峰对应的2θ角减小,并且在中间氧压时,衍射峰宽化.我们认为氧压增大,使得薄膜中氧含量增加.随着x值的增加,薄膜的电输运性能发生显著改变.在高真空度条件下生长的薄膜表现出很强的金属性,当氧压增加时,材料的电阻率显著增大.实验中测量的所有样品的电阻率都保持正的温度系数,并且在一个相当大的温度区间内与温度的平方呈线性关系.

参考文献

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