本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.
参考文献
| [1] | 张万荣,李志国,罗晋生,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地.应变p型Si1-xGex层中载流子冻析[J].电子学报,1998(11):51-54. |
| [2] | Yengeny V .Mamontov Magnus Willander[J].Solid State Electronics,1995,38:599. |
| [3] | 赵传阵;唐吉玉;文于华.固体电子学研究与进展(待发表)[M]. |
| [4] | 张万荣.应变Si1-xGex层本征载流子浓度和有效态密度的解析计算[J].固体电子学研究与进展,1996(04):314. |
| [5] | 刘恩科;朱秉生;罗晋升.半导体物理学[M].北京:高等教育出版社,2003:30-33. |
| [6] | R People .[J].Physical Review B:Condensed Matter,1985,32:1405. |
| [7] | G Theodorou;P C Kelices;C Tserbak .[J].Physical Review B:Condensed Matter,1994,50:18355. |
| [8] | 叶良修.半导体物理学[M].北京:高等教育出版社,1983:137-141. |
| [9] | 徐瑞萍,徐烈.低温下粗糙表面接触间隙气体热导的研究[J].低温物理学报,2005(01):54-60. |
| [10] | 李波,吴柏枚,高惠平,杜衎,王明.低温声子热导率的数值计算和数值模拟[J].低温物理学报,2005(02):111-115. |
| [11] | 肖志雄;郑茳;魏同立 .[J].低温物理学报,1995,17:101. |
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