掺质TGS系列晶体生长与性能研究

人工晶体学报, 1999, 28(4): 335-340. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.005

掺质TGS系列晶体生长与性能研究

王希敏 ^1, , 韦建环 ^2, , 张红 ^3, , 肖卫强 ^4, , 常新安 ^5, , 臧和贵 ^6, , 张克从 ^7,

1.北京工业大学环境与能源工程学院,北京,100022

2.北京工业大学环境与能源工程学院,北京,100022

3.北京工业大学环境与能源工程学院,北京,100022

4.北京工业大学环境与能源工程学院,北京,100022

5.北京工业大学环境与能源工程学院,北京,100022

6.北京工业大学环境与能源工程学院,北京,100022

7.北京工业大学环境与能源工程学院,北京,100022

基金项目: 北京市自然科学基金

关键词：掺质TGS系列晶体 , 溶液晶体生长 , 生长形态 , 热释电性能

Study on Crystal Growth and Properties of Doped TGS Series Crystals

采用水溶液缓慢降温法生长了掺质为乳酸、异丙醇胺、L-丝氨酸、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺TGS系列晶体,研究了晶体生长形态,测定了晶胞参数、红外光谱和热释电性能.实验结果表明,所有掺质均已进入晶体,晶体生长形态和热释电性能随着掺质种类不同而发生不同的变化.掺L-丝氨酸TGS晶体的品质因子大于纯TGS晶体.

参考文献

[1]	三井利夫.铁电物理导学论[M].北京:科学出版社,1983
[2]	Hoshino S et al.The Relation Between Pyroelectric Property and Structure of TGS Crystal[J].Physical Review,1959,115:323.
[3]	Pepinsky R et al.Source of Pyroelectric Property of TGS Crystal[J].Bulletin of the American Physical Society,1957,2(02):1538.
[4]	张克从;王希敏 .TGS晶体中取代基元的作用[J].科学通报,1993,38(05):385.
[5]	Lack P J .Lock Polarization of TGS Crystal[J].Applied Physics Letters,1971,19:390.
[6]	王希敏.新型TGS系列晶体的生长[J].人工晶体学报,1991(02):138.
[7]	王步国,施尔畏,仲维卓.几种极性有机晶体的生长习性与形成机理Ⅲ.晶体的习性预测与实际形态的控制[J].人工晶体学报,1998(01):20-25.
[8]	荆煦瑛;陈式隶;么恩云.红外光谱分析与新技术[M].北京:中国医药科技出版社,1993

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