坩埚下降法生长白宝石晶体的研究

人工晶体学报, 2000, 29(1): 42-44. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.009

坩埚下降法生长白宝石晶体的研究

邹蒙 ^1, , 范志达 ^2, , 李楠 ^3, , 徐川 ^4, , 黄朝恩 ^5,

1.人工晶体研究所,北京,100018

2.人工晶体研究所,北京,100018

3.人工晶体研究所,北京,100018

4.人工晶体研究所,北京,100018

5.人工晶体研究所,北京,100018

关键词：布里奇曼法 , 双回路加热系统 , 白宝石单晶

Investigation on Growth of Sapphire Crystals by Vertical Bridgman Technique

本文报道了坩埚下降法生长大尺寸白宝石单晶.我们使用大尺寸异型钼坩埚,高纯氧化铝原料,在中性气氛下,结晶区温度梯度为25～30℃/cm,生长速度为0.8～1.8mm/h,生长方向选C面[0001]取向,成功生长出直径80mm,高度90mm的完整透明的白宝石单晶,在300～5500nm范围内,其光学透过率均在80%以上.实验中采用高性能保温材料使生长过程所需加热功率由20kW下降到15kW,能耗降低达25%;采用双回路加热系统,提高温场稳定性,缩短晶体生长周期.晶体的主要缺陷为顶部(生长后期)出现有5～10mm淡黄色色带(经在氧化性气氛中退火后已消除)和底部有细丝状条纹.

参考文献

[1]	Palpdino A E;Roiter B D .Czochralski Growth of Sapphire[J].American Ceramic Society,1964,47(09):465.
[2]	王崇鲁.白宝石单晶[M].天津:天津科学技术出版社,1983
[3]	王崇鲁.[J].硅酸盐通报,1983
[4]	Lee K H;Crawford J H .Additive Coloration of Sapphire[J].Applied Physics Letters,1978,33(04):273.
[5]	Borodin V A;Ionov A M;Yalovets T N .Void Formation upon Annealing of Shaped Sapphire Crystals[J].Journal of Crystal Growth,1990,104:157.

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