锗对CZ Si中新施主的影响

人工晶体学报, 2000, 29(1): 51-53. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.011

锗对CZ Si中新施主的影响

张维连 ^1, , 孙军生 ^2, , 檀柏梅 ^3, , 张恩怀 ^4, , 张颖怀 ^5,

1.河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130

2.河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130

3.河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130

4.河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130

5.河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130

基金项目: 中国科学院资助项目河北省自然科学基金

关键词： CZ Si , 等价掺杂(Ge) , 新施主 , 热处理

Effluence of Ge on New Donor in CZ Si

等价元素锗(Ge),掺入CZ Si中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行.同时,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体(Ge-VX),降低了空位的浓度.因此,锗掺入到CZ Si中可以抑制新施主(ND)的形成速率和最大浓度,提高了硅的高温稳定性,改善硅材料的内在质量.随着Ge浓度的增加,这种抑制施主效应也越明显.本文简要地探讨了Ge在CZ Si中抑制新施主形成的机理.

参考文献

[1]	冀志江 .掺GeCZSi的研究[D].河北工学院,1994.
[2]	佘思明.半导体硅材料学[M].长沙:中南工业大学出版社,1992:395.
[3]	闫书霞 .杂质锗在硅单晶中的平衡分凝系数与存在状态[D].河北工业大学,1996.
[4]	Watt P K.Point Defects in Crystals[M].John Wiley and Sons,1977:174.
[5]	Menendez J et al.Raman Spectroscopy Study of Microscopic Strain in Epitaxial Si1-x-yGexCy Alloys[J].Applied Physics Letters,1995,66:1160.

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