利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错.首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息,如发现铁电畴的明区要高于暗区,且两者的粗糙度明显不同.这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径.
参考文献
[1] | Liu W J;Jiang S S;Huang X R et al.White-beam Synchrotron Topography Characterization of Flux-grown KTiOAsO4[J].Applied Physics Letters,1996,68(01):25,26. |
[2] | Cheng L K;Cheng L T;Bierlein J D;Zumsteg F C .Properties of Doped and Undoped Crystal of Single Domain KTiOAsO4[J].Applied Physics Letters,1993,62:346. |
[3] | Loiacono G M;Loiacono D N;Zola J J et al.Optical Properties and Ionic Conductivity of KTiOAsO4[J].Applied Physics Letters,1992,61(08):895. |
[4] | 魏景谦.KTiOAsO4晶体的生长和性质研究[J].人工晶体学报,1994(02):95. |
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