大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能

1.哈尔滨师范大学阿城学院物理系,哈尔滨,150301

3.哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨150081

4.哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨150081

5.哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨150081

6.哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨150081

Preparation and Properties of Large-size Pseudoternary Semiconductive Cooling Material

采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为27mm的大尺寸P和N型Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3赝三元取向晶锭.并测试了其温差电性质,分析了制备条件对其影响.

[1]	Yim W M;Rosi F D .[J].Solid-State Electronics,1972,15:1121.
[2]	荣剑英.（Bi2Te3）0.90（Sb2Te3）0.05（Sb2Se3）0.05晶体的生长及性能[J].人工晶体学报,1994(z1):128.
[3]	SJ 2857-1988[S].
[4]	荣剑英.p型赝三元温差电材料的研制[J].人工晶体学报,1993(01):15.
[5]	闵乃本.晶体生长的物理基础[M].上海:上海科学技术出版社,1982

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