Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用

人工晶体学报, 2002, 31(4): 350-353. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.005

Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用

王立民 ^1, , 刘振刚 ^2, , 董守义 ^3, , 于美燕 ^4, , 郝霄鹏 ^5, , 崔得良 ^6, , 徐现刚 ^7, , 王琪珑 ^8,

1.山东大学微纳材料中心,济南,250100

2.山东大学化学与化工学院,济南,250100

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

4.山东大学化学与化工学院,济南,250100

5.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

6.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

7.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

8.山东大学化学与化工学院,济南,250100

基金项目: 国家自然科学基金(90101016,29773026 和 60025409) 教育部高校骨干教师资助计划山东省科技攻关项目

关键词：纳米晶 , 表面氧化 , 活化 , 配位键

Study on the Adsorption Property to N2 on the Surface of Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Nanocrystals

研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异,对这些现象进行了解释;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征.结果表明:当Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时,其表面活性明显降低;含Ga的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶.这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键,对氮分子的吸附作用增强.

参考文献

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Study on the Adsorption Property to N2 on the Surface of Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Nanocrystals

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