掺杂CLBO晶体的生长及性能研究

人工晶体学报, 2002, 31(6): 525-528. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.002

掺杂CLBO晶体的生长及性能研究

张秀荣 ^1, , 张顺兴 ^2, , 柴耀 ^3, , 祁长鸿 ^4,

1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

3.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

4.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

基金项目: 国家自然科学基金(60078019)

关键词：顶部籽晶泡生法 , 掺杂CLBO晶体 , 荧光谱 , 倍频效应 , 倍频转换效率 , 吸潮特性

Study on Growth and Properties of Doping CLBO Crystal

本文采用顶部籽晶泡生法进行掺杂CLBO晶体的生长及性能研究.分别掺入稀土离子Nd3+、Ce3+、Eu3+,均生长出透明晶体.通过测量掺杂CLBO晶体的荧光谱和定量分析晶体中杂质含量,证实这些杂质确实已掺入CLBO晶体中. 对掺杂晶体进行了吸潮特性和倍频效应的研究,发现掺杂CLBO晶体的吸潮性能有很大的改善,激光倍频转换效率仍然很高.

参考文献

[1]	张秀荣,张顺兴,柴耀.大尺寸CLBO单晶的生长和性质研究[J].人工晶体学报,1999(04):346-349.
[2]	戴安邦;沈孟长.元素周期表[M].上海:上海科学技术出版社,1979
[3]	常新安,臧和贵,肖卫强,张晓红,江少林,王希敏,张克从.双掺离子在KTNNP晶体生长中的协同效应研究[J].人工晶体学报,2001(02):123-128.
[4]	Yusuke Mori;Takatomo Sasaki.Development of CsLiB6O10 Crystal for UV Generation[C].Inter.Symposium on laser and materials,1997

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