四方晶系晶体的Bridgman法生长的稳态数值模拟

人工晶体学报, 2003, 32(5): 455-459. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.011

四方晶系晶体的Bridgman法生长的稳态数值模拟

张海斌 ^1, , 沈定中 ^2, , 任国浩 ^3, , 邓群 ^4,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

4.通用电器公司中国研发中心,上海,200555

基金项目: 国家自然科学基金(59732040)

关键词：四方晶系晶体 , Bridgman法 , 导热系数

Numerical Simulation of Bridgman Method for Tetragonal System

本文对四方晶系晶体的Bridgman法生长进行了稳态数值模拟.当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,将产生"W"形固液界面.通过比较,指出不同导热系数组合时晶体生长的难易.当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,界面平坦,容易长出较好质量的晶体.对中、低级晶系的生长,晶体横向导热系数应大于纵向导热系数.

参考文献

[1]	Wouters P;Van Schaftingen J J;Crochet M J .Numerical Simulation of the Horizontal Bridgman Growth. Part III: Calculation of the Interface[J].International Journal for Numerical Methods in Fluids,1987,7:131.
[2]	CHANG C J;Brown R A.Finite Element Calculation of Buoyancy-Driven Convection near a Melt/Solid Phase Boundary[A].Ed.T-M.Shift (Hemisphere,New York,1982

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Numerical Simulation of Bridgman Method for Tetragonal System

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