采用热壁物理气相沉积法(hot-wall PVD)制备HgI2多晶厚膜,采用XRD、金相显微镜等手段对其进行表征,结果表明多晶HgI2厚膜呈定向(001)晶向生长且晶粒尺寸大小均匀.并分析讨论了不同温度对厚膜生长的影响.通过对其I-V特性的测试表明其具有高的电阻率(达1011Ω*cm)和较好的线性关系.
参考文献
| [1] | Piechotka M .Mercuric Iodide for Room Temperature Rediation Detectors[J].Materials Science and Engineering R:Reports,8:1-98. |
| [2] | Ortale C et al.Mercuric Iodide Imaging Detectors[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research,1982,213:95-101. |
| [3] | Schieber M;Hermon H et al.Nondestructive Imaging with Mercuric Iodide Thick Film X-ray[J].Proceedings of SPIE,2001,4335:43-51. |
| [4] | Hermon H;Schieber M et al.Deposition of Thick Films of Polycrystalline Mercuric Iodide X-Ray Detectors[J].Proceedings of SPIE,2001,4320:133-139. |
| [5] | 刘建华,史伟民,钱永彪,李莹,郭燕明,桑文斌.高纯元素合成碘化汞及其单晶的生长[J].上海大学学报(自然科学版),2001(06):504-508. |
| [6] | 杨树人;丁墨元.外延生长技术[M].北京:国防工业出版社,1992:420-427. |
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