用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计

人工晶体学报, 2004, 33(5): 712-716. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.004

用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计

蒲红斌 ^1, , 陈治明 ^2, , 李留臣 ^3, , 封先锋 ^4, , 张群社 ^5, , 沃立民 ^6, , 黄媛媛 ^7,

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基金项目: 国家自然科学基金(6037601) 西安理工大学校科研和教改项目

关键词： SiCGe , 热壁CVD , 感应加热 , 温度场 , 有限元

Analysis and Design of Temperature Field of SiCGe Alloy Growth by Hot-wall Chemical Vapor Deposition on SiC Substrates

采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究.分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则.模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数.

参考文献

[1]	李晋闽.SiC材料及器件研制的进展[J].物理,2000(08):481-487.
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