CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析

人工晶体学报, 2004, 33(5): 841-844. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.033

CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析

薛玉明 ^1, , 孙云 ^2, , 李凤岩 ^3, , 朴英美 ^4, , 刘维一 ^5, , 周志强 ^6, , 李长健 ^7,

1.南开大学光电子所,天津,300071

2.南开大学光电子所,天津,300071

3.南开大学光电子所,天津,300071

4.南开大学光电子所,天津,300071

5.南开大学光电子所,天津,300071

6.南开大学光电子所,天津,300071

7.南开大学光电子所,天津,300071

关键词：异质结 , 能带边失调值 , CIGS , OVC , 太阳电池

Research on the Structure of the Heterojunction of the CIGS Thin Film Solar Cells

本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值ΔEC、ΔEV.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0～0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好.

参考文献

[1]	Minemoto T.;Takakura H.;Hamakawa Y.;Negami T.;Hashimoto Y. Uenoyama T.;Kitagawa M.;Matsui T. .Theoretical analysis of the effect of conduction band offset of window/CIS layers on performance of CIS solar cells using device simulation[J].Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion,2001(1/4):83-88.
[2]	Mangamma G;Gnanasekaran T.Modeling of Atmosphere Sensitive Heterojunctions for Device Applications[A].Chapter 8:Semiconductor Device Modeling,2000:408-411.
[3]	雷永泉.新能源材料[M].天津:天津大学出版社
[4]	Larry Kazmerski .The Outstanding R & D of the NCPV is Again Highlighted by Two Exceptional Accomplishments[OL].http://www.nrel.gov,2002-11-27.

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