离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究

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基金项目: 云南省科技攻关项目(2001G06)

Study on Crystallization of the Si/Ge Multilayer Films Prepared by Ion-beam Sputtering

采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征.结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6.2nm时,Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用.

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