低位错ZnSe单晶的生长

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基金项目: 国家科技攻关项目(2002AA325030)

Growth of ZnSe Single Crystal with Low Dislocations

采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2.对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70%,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm.

[1]	Ohkawa K et al.[J].Journal of Applied Physics,1991,70:439.
[2]	Gunshor R L et al.[J].Mrs Bulletin,1995,7:15.
[3]	Koyama T et al.[J].Journal of Crystal Growth,1988,91:639.
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[5]	Williams J O et al.[J].Journal of Crystal Growth,1984,68:237.

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