采用电化学沉积技术在Si衬底上沉积了Cu膜.场发射扫描电镜和X射线衍射分析表明:膜中存在Cu纳米颗粒, 并且表现出择优取向,与衬底的取向和斜切角度以及沉积电流密度有关.在Si(100) 衬底上,铜(220)晶面的织构系数随电流密度的增加而增加.在相同沉积条件下,在斜切角较小的Si(111)和Si(100)衬底上择优取向面都是铜 (220) 面,而在斜切角为4°的Si(111)衬底上铜(111)晶面为择优取向面.
参考文献
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| [2] | 郭常霖,吴毓琴.层状结构铁电材料热压择优取向度的X射线测定法[J].物理学报,1980(12):1640-1644. |
| [3] | [OL].http://www.misasa.okayama-u.ac.jp/～masami/ykwk212a/wiki.cgi?xrd_pattern |
| [4] | Vitaly Shchukin A;Nikolai Ledentsov N;Dieter Bimberg.Epitaxy of Nano-Structures[M].Springer,2003:57-103. |
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