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我们采用传统固态反应方法烧结制备(Nb2O5)1-x(TiO2)x陶瓷,给出了掺杂量x从0.01到0.13陶瓷的介电性能.在本工艺条件下,所有样品的介电系数均大于120.当样品中TiO2的掺杂量为5mol%时,陶瓷的介电性能最佳:介电系数和损耗分别为217和0.078.XRD测试实验给出,当x≤0.05时,陶瓷的主要相结构为Nb2O5;当x≥0.07时,主相为TiNb24O62.

参考文献

[1] Cava R J;Peck W F;Krajewski J J .[J].Materials Research Bulletin,1996,31(03):295-299.
[2] Cava RJ;Peck WF;Krajewski JJ;Roberts GL;Barber BP;OBryan HM;Gammel PL .Improvement of the dielectric properties of Ta2O5 through substitution with Al2O3[J].Applied physics letters,1997(11):1396-1398.
[3] Cava RJ.;Peck WF.;Roberts GL.;Krajewski JJ. .DIELECTRIC PROPERTIES OF TA2O5-SIO2 POLYCRYSTALLINE CERAMICS[J].Journal of Applied Physics,1996(4):2346-2348.
[4] Cava R J;Krajewski J J Jr;Peck W F;Roberts G L .[J].Journal of Materials Research,1996,11(06):1428-1432.
[5] Choosuwan H;Guo R;Bhalla A S .[J].Materials Letters,2002,54:269-272.
[6] Hathalkarn Choosuwan;Ruyan Guo;Amar Bhalla S;Balachandran U .[J].FERROELECTRICS,2001,263:311-319.
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