铝锆碳质滑板中SiC晶须形成机理

1.武汉科技大学,耐火材料与高温陶瓷国家重点实验室培育基地,湖北,武汉,430081

2.武汉科技大学,耐火材料与高温陶瓷国家重点实验室培育基地,湖北,武汉,430081

基金项目: 湖北省自然科学基金(2006ABA287)

Growth mechanism of SiC whisker in Al2O3-ZrO2-C slide gate

以铝锆碳滑板基质部分为研究对象,以金属硅粉、石墨和碳黑为原料,混合后在埋碳气氛下,于1 200～1 600℃范围内进行高温处理.通过透射电镜和能谱仪分析,研究发现碳化硅晶须为哑铃状,并且随着热处理温度升高,哑铃状小球慢慢减少,在这个过程中,SiC晶须的生长机理为气-固反应模型.

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