等离子体源离子注入法制备类金刚石薄膜

材料保护, 2003, 36(5): 48-50. doi: 10.3969/j.issn.1001-1560.2003.05.017

等离子体源离子注入法制备类金刚石薄膜

马国佳 ^1, , 吴志猛 ^2, , 李新 ^3, , 邓新绿 ^4, , 徐军 ^5, , 唐祯安 ^6,

1.大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

2.大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

3.大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

4.大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

5.大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

6.大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024

关键词：类金刚石 , 等离子源注入 , 化学键

Preparation of Diamond-like Carbon Films by Plasma Source Ion Implantation

用等离子体源注入(PSII)在Si(100)上制备类金刚石膜,放电气体采用CH4, 用微波电子回旋共振(ECR)产生等离子体.将-20～-30 kV的高压加在衬底上,来提高离子的能量.通过Raman光谱和FT-IR光谱检测了类金刚石膜的化学组成及状态,并对其机械性能和表面形貌进行了检测.结果显示,硅片硬度和摩擦因数得到了改善,用PSII能够制备出性能优良的膜,可以将其应用到微电子器件(MEMS)上去.

参考文献

[1]	Walter KC.;Baker NP.;Munson CP.;Scarborough WK.;Scheuer JT.;Wood BP.;Conrad JR.;Sridharan K.;Malik S.;Bruen RA.;Nastasi M. .Advances in PSII techniques for surface modification[J].Surface & Coatings Technology,1998(0):205-211.
[2]	Robertson J. .Diamond-like amorphous carbon [Review][J].Materials Science & Engineering, R. Reports: A Review Journal,2002(4/6):129-281.
[3]	Melissa J. Paterson .An investigation of the role of hydrogen in ion beam deposited a-C:H[J].Diamond and Related Materials,1998(6):908-915.

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