利用二次离子质谱(SIMS)和X射线衍射(XRD)研究了用于电子封装的以Dy2O3、CaO为添加剂的AlN和以堇青石、BaCO3为添加剂的莫来石陶瓷衬底的物相组成和表面成分,尤其是表面杂质,并利用SIMS尝试探讨了AlN表面热氧化问题.结果表明,AlN和莫来石陶瓷表面不同程度地存在Li、C、F、Na、K、Cl、Ti、Rb等杂质元素的污染;AlN表面存在富O层,在空气中经过850℃10分钟退火后,富O层明显展宽.
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