欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

利用二次离子质谱(SIMS)和X射线衍射(XRD)研究了用于电子封装的以Dy2O3、CaO为添加剂的AlN和以堇青石、BaCO3为添加剂的莫来石陶瓷衬底的物相组成和表面成分,尤其是表面杂质,并利用SIMS尝试探讨了AlN表面热氧化问题.结果表明,AlN和莫来石陶瓷表面不同程度地存在Li、C、F、Na、K、Cl、Ti、Rb等杂质元素的污染;AlN表面存在富O层,在空气中经过850℃10分钟退火后,富O层明显展宽.

参考文献

[1] 苏世民 .[J].半导体技术,1994,4:62.
[2] Miyashiro F;Iwase N;Tsuge A et al.[J].IEEE Trans on CHAMT,1990,13(02):313.
[3] Aksay I A;Dabbs D M;Sarikaya M .[J].Journal of the American Ceramic Society,1991,74(10):2343.
[4] Horiuchi M;Takeuchi Y;Wakabayashi S .[J].Semiconductor International,1989,12(09):110.
[5] 陈新;陈春华;王佑祥 .[J].真空科学与技术,1995,15(04):262.
[6] Watari K;Tsuzuki A;Torri Y .[J].Journal of Materials Science Letters,1992,11:1508.
[7] 刘耀城;吴音;缪卫国;周和平 .[J].清华大学学报(自然科学版),1996,36(z1):20.
[8] 吴铧;沈电洪 .[J].真空科学与技术,1995,15(03):172.
[9] Katnani A D;Papathomas K I .[J].Journal of Vacuum Science and Technology A-Vacuum Surfaces and Films,1987,5(04):1335.
[10] Suryanarayana D;Matienzo L J;Spencer D F .[J].IEEE Trans on CHAMT,1989,12(04):566.
[11] Suryanarayana D .[J].Journal of the American Ceramic Society,1990,73(04):1108.
[12] Robinson D;Dieckmann R .[J].Journal of Materials Science,1994,29:1949.
[13] Iwase N;Anzai K;Shinozaki K .[J].Solid State Technology,1986,29(10):135.
[14] 靳正国;徐廷献;胡宗民 等.[J].硅酸盐学报,1996,24(01):20.
[15] Anderson R M;Gerhardt R;Wachtman J B .[J].Avd Cera,1986,26:265.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%