反应烧结碳化硅的显微组织及其导电性的研究

硅酸盐通报 , 1999, 18(5): 51-54. doi: 10.3969/j.issn.1001-1625.1999.05.011

反应烧结碳化硅的显微组织及其导电性的研究

吕振林 ^1, , 高积强 ^2, , 王红洁 ^3, , 金志浩 ^4,

1.西安理工大学

2.西安交通大学材料科学与工程学院,710049

3.西安交通大学材料科学与工程学院,710049

4.西安交通大学材料科学与工程学院,710049

基金项目: 中国科学院资助项目(59772013)

关键词：碳化硅 , 显微组织 , 电阻率

Study on the Microstructure and Conductivity of Reaction-Bonded Silicon Carbide

研究了液态硅参与下的反应烧结碳化硅的工艺参数、显微组织对其电阻率的影响.随着烧结气氛压力和成型压力增加,反应烧结碳化硅中游离硅量减少,电阻率增加.其烧结机理以碳的溶解及碳化硅的淀析过程为主.

参考文献

[1]	Popper P.The preparation of dense self bonded silicon carbide[A].Heywood,London,1960:209-219.
[2]	Forrest C W;Kennedy P;Shennan J V.The fabrication and properties of self-bonded silicon carbide bodies[A].British Ceramic Research Association,Stoke-on-Trent,1972:99-123.
[3]	Ness J N;Page T F .Microstructure evolution in reaction bonded silicon carbide[J].Journal of Materials Science,1986,21:1377-1397.
[4]	Hozer L.;Chiang YM.;Lee JR. .REACTION-INFILTRATED, NET-SHAPE SIC COMPOSITES[J].Materials Science & Engineering, A. Structural Materials: Properties, Misrostructure and Processing,1995(1/2):131-143.
[5]	Hayato NANRI;Mitsuru SHIRAI;Nobuyuki TAKEUCHI et al.Oxidation behavior of Si-SiC at high temperature[J].Journal of the Ceramic Society of Japan,1997,105(01):15-20.
[6]	丁子上.硅酸盐物理化学[M].北京:中国建筑工业出版社,1980:126.
[7]	梁训裕;刘景林.碳化硅耐火材料[M].北京:冶金工业出版社,1981:83.
[8]	Yet-Ming Chiang;Robert P Messner;Chrysanthe B.Terwilliger .Reaction-formed silicon carbide[J].Materials Science and Engineering A,1991,144:63-74.

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