常压化学气相沉积法氮氧化硅薄膜性能的研究

1.浙江大学材料系硅材料科学国家重点实验室,杭州,310027

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基金项目: 中国科学院资助项目浙江省新世纪151人才工程项目

Properties of Silicon Oxynitride Thin Films Prepared by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition

我们用常压化学气相沉积法(APCVD),以SiH4和NH3为先驱体,在较低的温度(＜700℃)下制备氮氧化硅(Si-O-N)薄膜,并对其性能进行了研究.研究结果表明氮氧化硅薄膜能使改性后平板玻璃硬度提高40%,并具有良好的抗高温氧化性,这种薄膜在材料表面改性领域有着广阔的应用前景.

[1]	孟祥森;杨辉.[J].现代技术陶瓷,1998(ZK):727.
[2]	余京松,钱晓倩,马青松,葛曼珍,孟祥森,杨辉.APCVD法SiH4-NH3-CO2系统制备氧氮玻璃薄膜的研究[J].硅酸盐学报,1999(03):365-369.
[3]	C.M.M.Denise;K.Z.Troost et al.[J].Journal of Applied Physics,1986,60(07):2543.
[4]	陈俊芳;王卫乡等.[J].光子学报,1997,26(09):836.

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