以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法制得纳米级掺锑二氧化锡(ATO)的前驱物,在一定条件下热处理,成功制备了直径为10～30nm,长为50～500nm的金红石结构的ATO纳米棒.运用热重分析(TGA)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)及比表面仪(BET法)对纳米棒进行了表征,初步探讨了其形成机理,较系统地研究了热处理温度及热处理时间对粉体形貌结构和导电性能的影响规律.
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