欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

用有预制型的无压浸渗法制备了体积分数高达75%的碳化硅颗粒增强铝基复合材料.研究了各工艺参数对复合材料制备过程与性能的影响.结果表明:SiO2氧化膜、N2气氛和充分的保温时间有利于浸渗;浸渗温度选择1000℃比较合适;Mg的质量分数为10%时浸渗能顺利进行.

参考文献

[1] 《中国集成电路大全》编辑委员会.中国集成电路大全—集成电路封装[M].北京:国防工业出版社,1996:5.
[2] Zweben C .Metal matrix composite for electronic packaging[J].Journal of the Minerals,Metals & Materials Society,1992,44(07):15-23.
[3] 桂满昌;王殿斌;张洪.颗粒增强铝基复合材料的制备及应用[J].材料导报,1996(03):65-68.
[4] 张叔英;孟繁琴;陈玉勇.颗粒增强金属基复合材料的研究进展[J].材料导报,1996(02):66-68.
[5] Shi Zhongliang;Ochiai S;Hojo M et al.Joining characteristics of oxidized SiC particles reinforced Al-Mg matrix composite prepared by reaction infiltration processing[J].Journal of Materials Research,2001,16(02):400-405.
[6] 周贤良.无压渗透法制备颗粒增强铝基复合材料的工艺及渗透机理初探[J].热加工工艺,1995(03):25.
[7] 张少卿,崔岩,王美炫,宋颖刚.碳化硅颗粒增强铝基复合材料的无压浸透反应机理探讨[J].材料工程,2001(12):8-11.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%