不同硅片对SBT薄膜结构与性能的影响

硅酸盐通报 , 2005, 24(2): 76-79. doi: 10.3969/j.issn.1001-1625.2005.02.018

不同硅片对SBT薄膜结构与性能的影响

付兴华 ^1, , 傅正义 ^2, , 丁碧妍 ^3, , 单连伟 ^4, , 韦其红 ^5, , 侯文萍 ^6,

1.武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;济南大学材料学院,济南,250022

2.武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070

3.济南大学材料学院,济南,250022

4.济南大学材料学院,济南,250022

5.济南大学材料学院,济南,250022

6.济南大学材料学院,济南,250022

关键词：硅基片 , SBT薄膜 , 介电性能 , 结构特征

Influences of Substrates of Monocrystalline Silicon (100) on the Properties and Microstructure of Sr0.5Ba0.5TiO3 Thin Films

采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、XRD、TEM等测试方法研究了不同电阻率硅片对Sr0.5Ba0.5TiO3(SBT)薄膜结构与性能的影响.在测试频率为1KHz时,在高阻硅片上生成的SBT薄膜的相对介电常数εr,介质损耗tanδ分别为100.54,0.060,材料的介电性能相对提高,并表现出较好的频散特性;最大εr温度点Tm(居里温度)稍微移向高温.在高阻硅片上制备的SBT薄膜易生成四方钙钛矿结构,薄膜表面无裂纹,孔洞少,比较致密,晶粒的平均粒径均为80nm,分布均匀;晶格条纹间距约为0.296nm,晶界2侧的晶粒取向是随机的.

参考文献

[1]	Al - shareef H N;Dimos D .Leakage and reliability characteristics of lead zirconate titanate thin- film capacitors[J].Journal of the American Ceramic Society,1997,80(12):3127-3132.
[2]	杨平雄,邓红梅,褚君浩.层状钙钛矿结构铁电薄膜SrBi2Ta2O9的掺杂改性研究[J].物理学报,1998(07):1222-1228.
[3]	Watanabe T;Funakubo H;Saito K .Ferroelectric property of epitaxial Bi4Ti3O12 films prepared by metallorganic chemical vapour deposition[J].Journal of Materials Research,2001,16(01):303-307.
[4]	Liou J W;Chiou B S .Dielectric characteristics of doped Ba1-xSrxTiO3 at the paralectric state[J].Materials Chemistry and Physics,1997,51:59-63.
[5]	Erker EG.;Liu Y.;Periaswamy P.;Taylor TR.;Speck J.;York RA.;Nagara AS. .Monolithic Ka-band phase shifter using voltage tunable BaSrTiO3 parallel plate capacitors[J].IEEE Microwave and Guided Wave Letters,2000(1):10-12.
[6]	Liu Y.;Nagra AS.;York RA.;Borgioli A. .K-band 3-bit low-loss distributed MEMS phase shifter[J].IEEE Microwave and Guided Wave Letters,2000(10):415-417.

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