快中子辐照直拉硅中V2的FTIR研究

硅酸盐通报 , 2006, 25(5): 155-157. doi: 10.3969/j.issn.1001-1625.2006.05.033

快中子辐照直拉硅中V2的FTIR研究

辛少波 ^1, , 梁小平 ^2, , 徐学文 ^3, , 王小会 ^4,

1.天津工业大学改性与功能纤维天津市重点实验室,天津,300160

2.天津工业大学改性与功能纤维天津市重点实验室,天津,300160

3.河北工业大学材料学院,天津,300130

4.天津工业大学改性与功能纤维天津市重点实验室,天津,300160

关键词：直拉硅 , 快中子辐照 , 退火 , 双空位

FTIR Sudy on V2 Defect in Fast Neutron Irradiated CZSi

通过傅立叶红外光谱仪(FFIR)技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷--双空位(V2)退火行为,主要研究了不同中子辐照剂量对双空位的影响.实验结果表明:随辐照剂量的增加双空位缺陷的浓度并不会无限地增加;间隙氧原子很容易与双空位缺陷结合形成比较稳定的空位-氧复合体,当退火温度超过200℃,双空位吸收峰消失.

参考文献

[1]	辛拓.硅的中子嬗变掺杂及其应用[J].半导体技术,1986(05):38-39.
[2]	张维连;徐岳生 .NTDCZSi的辐照缺陷退火研究[J].功能材料,1991,22(04):202-203.
[3]	裴志军.高能粒子辐射直拉硅中辐照缺陷的控制[J].半导体技术,2000(01):39-41.
[4]	Li Y X;Guo H Y;Liu B D et al.The effects of neutron irradiation on the oxygen precipitation in Czochralski-silicon[J].Journal of Crystal Growth,2003,253:6-8.
[5]	马巧云;郝秋艳;杨帅.快中子辐照对直拉硅中氧沉淀的影响[A].深圳,2003

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