以纯度均>97%的磨料级黑SiC、硅粉和SiO2粉为原料,加入临时结合剂,混练15~20 min后,在油压机上压成125 mm×25 mm×25 mm的试样,再将干燥后的生坯在高纯氮气中于1 450 ℃ 10 h氮化烧成后,制成了SiO2加入量(w)分别为0、4%、6%、8%、10%的Si2N2O结合SiC试样,以研究SiO2加入量对材料相组成与显微结构的影响.结果表明:随着SiO2细粉加入量的增加,试样基质中的Si2N2O生成量逐渐增加,Si3N4量逐渐降低;试样的整体结构变得越来越致密,孔洞部位Si2N2O晶体的发育越来越趋于完全.
参考文献
[1] | 李玉书.SiC窑具[J].中国陶瓷,1986(03):1-12. |
[2] | 杨进飞.SiC耐火材料的选择[J].国外耐火材料,1966(07):24-29. |
[3] | Malcolm E Washburn.A silicon carbide refractory bonded with silicon oxynitride[J].The Refractories Journal,1963(10):412-416. |
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