以硅灰、白炭黑、硅溶胶为硅源,炭黑为碳源,采用碳热还原法合成碳化硅晶须,通过XRD及SEM对合成产物的物相及形貌进行分析,探讨了合成温度(分别为1 400、1 450、1 500、1 550℃)、硅源、n(C)∶n(SiO2)对合成碳化硅晶须的影响.结果表明:n(C)∶n(SiO2)为2.4~3.6,合成温度为1 500 ℃,保温3 h时,硅溶胶与炭黑反应没有生成碳化硅晶须,硅灰、白炭黑与炭黑反应均生成碳化硅晶须;以硅灰为硅源合成碳化硅晶须的质量及数量明显优于以白发黑为硅源合成碳化硅晶须;合成碳化硅晶须的最佳n(C)∶n(SiO2)为3.3.
参考文献
[1] | 严东泉.耐火材料实用手册[M].北京:冶金工业出版社,1992:267-332. |
[2] | 陈卫武;周宗树;王天明 等.SiCw在Al2O3-C复合耐火材料中的原位生长[J].硅酸盐学报,1998,26(01):127. |
[3] | 宋祖伟;戴长虹;翁长根 .碳化硅晶须的生长机理与制备方法[J].青岛化工学院学报(自然科学版),2001,22(03):243. |
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