纳米薄膜的各方面性能和薄膜自身的微观结构是密切相关的,研究原子的迁移行为可以充分了解纳米材料的形成机理以及基本结构.笔者运用第一性原理VASP软件包对粒子的迁移行为进行模拟计算,内容包括模型的建立、原子吸附能的计算以及NEB方法计算迁移激活能.计算结果表明:Ta原子在2Ta2N岛附近的P3和P5位置为两个最稳定吸附,分别为11.41 eV和8.85 eV.Ta原子绕岛激活能的势垒较大(3.45eV),说明Ta原子的绕岛迁移很困难.
参考文献
| [1] | 范长增,孙力玲,魏尊杰,马明臻,刘日平,曾松岩,王文魁.碳化钽（TaC）和氮化钽（TaN）的价电子结构[J].中国科学G辑,2008(02):120-125. |
| [2] | G.R. Lee;H. Kim;H.S. Choi;J.J. Lee .Superhard tantalum-nitride films formed by inductively coupled plasma-assisted sputtering[J].Surface & Coatings Technology,2007(9/11):5207-5210. |
| [3] | LOVEJOY M L;PATRIZI G A;GER D J R.Thin-film Tantalum-nitride Resistor Technology for Phosphide-based Optoelectronies[J].THIN SOLID FILMS,1996(290/291):513-517. |
| [4] | 许俊华,李戈扬,顾明元.磁控反应溅射TaN薄膜的结构和性能[J].功能材料,2000(03):306. |
| [5] | Hong Shen;Ravi Ramanathan .Fabrication of a low resistivity tantalum nitride thin film[J].Microelectronic engineering,2006(2):206-212. |
| [6] | RIEKKINEN T;MOLARIUS J;LAURILA T.Kivilahti Reactive Sputter Deposition and Properties of Ta N Thin Films[J].Microelectronic Engineering,2002(64):289-297. |
| [7] | 向阳 .TaN微波功率薄膜电阻器的制备及性能研究[D].电子科技大学,2009. |
| [8] | VORGELEGT yon;ENG M;LIU Xue-jie.Basic Structure and Formation Mechanism of Ti-Si-N Superhardnanocomposite Coatings[M].Der Universitat Stuttgart,2008:105-106. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%