控电位法制备CdSe纳米线阵列及其性能研究

电镀与精饰 , 2014, 36(7): 1-6. doi: 10.3969/j.issn.1001-3849.2014.07.001

控电位法制备CdSe纳米线阵列及其性能研究

王宏智 ^1, , 卢敬 ^2, , 姚素薇 ^3, , 张卫国 ^4,

1.天津大学化工学院杉山表面技术研究室,天津,300072

2.天津大学化工学院杉山表面技术研究室,天津,300072

3.天津大学化工学院杉山表面技术研究室,天津,300072

4.天津大学化工学院杉山表面技术研究室,天津,300072

基金项目: 天津市自然科学基金资助(11JCYBJC01900)

关键词： AAO , CdSe纳米线 , 电沉积 , 光电响应 , 光催化

Synthesis and Photoelectrochemical Properties of CdSe Nanowires by Constant Potential Deposition Method

Keywords： AAO , CdSe Nanowires , electrodeposition , Photoelectric response , Photocatalytic

以SeO2为硒源,以阳极氧化铝为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理.在此基础上,以阳极氧化铝为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列.采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X-射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征.扫描电镜形貌分析表明,CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一;直径约100 nm,与模板孔径一致.X-射线衍射测试表明,所制得的CdSe纳米线为立方晶型.光电性能测试表明,CdSe纳米线阵列电极的开路电位差值为324.8 mV,高于CdSe薄膜(125.5 mV);光催化降解罗丹明B测试表明,5h后,CdSe纳米线的降解率达94.29％,强于CdSe薄膜(52.03％).

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