蓝宝石和硅衬底上氮化硅薄膜的制备和性能研究

材料工程, 2006, (2): 38-40. doi: 10.3969/j.issn.1001-4381.2006.02.010

蓝宝石和硅衬底上氮化硅薄膜的制备和性能研究

宋文燕 ^1, , 崔虎 ^2, , 苏勋家 ^3, , 刘正堂 ^4,

1.第二炮兵工程学院,西安,710025

2.第二炮兵工程学院,西安,710025

3.第二炮兵工程学院,西安,710025

4.西北工业大学,材料学院,西安,710072

基金项目: 国家预研基金(41312040402)

关键词：磁控反应溅射 , 蓝宝石 , 氮化硅薄膜 , 性能

Preparation and Properties of Si3N4 Films on Sapphire and Si Substrates

采用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯N2气为反应气体,在蓝宝石和硅衬底上制备了氮化硅薄膜.并对Si3N4薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能等进行了研究.实验结果表明,沉积薄膜中Si和N的比接近3∶4,形成了Si3N4化合物,呈非晶态结构.制备的Si3N4薄膜的硬度明显高于蓝宝石衬底的硬度,且与蓝宝石衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.

参考文献

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