多孔硅气体传感器的制备及其气敏性能的研究

材料工程, 2009, (4): 71-74. doi: 10.3969/j.issn.1001-4381.2009.04.017

多孔硅气体传感器的制备及其气敏性能的研究

李东海 ^1, , 胡明 ^2, , 孙凤云 ^3, , 陈鹏 ^4, , 孙鹏 ^5,

1.天津大学,电子信息工程学院,天津,300072

2.天津大学,电子信息工程学院,天津,300072

3.天津大学,电子信息工程学院,天津,300072

4.天津大学,电子信息工程学院,天津,300072

5.天津大学,电子信息工程学院,天津,300072

基金项目: 国家自然科学基金(60371030;60771019)

关键词： NO2气体传感器 , 多孔硅 , 灵敏度 , 孔隙率

Study on Fabrication of Porous Silicon Gas Sensor and Gas Sensing-characteristics

以P+型硅片为基底,利用双槽电化学腐蚀方法制备不同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon),介绍多孔硅气体传感器的原理和优点,通过SEM和AFM对PS薄膜的表面形貌进行分析,研究不同孔隙率条件下PS薄膜的气敏灵敏特性.结果表明:随着孔隙率的增加,PS薄膜的响应/恢复时间不断减小,薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×10-6～6×10-6)具有优异的敏感特性和响应特性.

参考文献

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