PGA370高密度陶瓷封装局部镀金

1.信息产业部电子第十三研究所,

2.信息产业部电子第十三研究所,

3.信息产业部电子第十三研究所,

The selective gold plating for PGA370 high density ceramic packages

研究了在陶瓷PGA 370和RP 54等具有分离(导体)结构的金属导体和引脚的高密度封装的局部镀金技术.结果表明:采用分步化学镀和电镀相结合的方法,适当控制化学镀和电镀工艺条件,可以成功地实现上述封装的局部镀金.

[1]	戴安邦;尹敬执.无机化学教程[M].北京:高等教育出版社,1958
[2]	曾华梁.电镀工艺手册[M].北京:机械工业出版社,1989
[3]	李宁;袁国伟.化学镀镍基合金理论与技术[M].哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2000

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