氧化镍纳米线的制备及光电性能研究

电镀与涂饰 , 2006, 25(12): 14-17. doi: 10.3969/j.issn.1004-227X.2006.12.004

氧化镍纳米线的制备及光电性能研究

刘伟星 ^1, , 姚素薇 ^2, , 张卫国 ^3, , 韩玉鑫 ^4,

1.天津大学化工学院杉山表面技术实验室,天津,300072

2.天津大学化工学院杉山表面技术实验室,天津,300072

3.天津大学化工学院杉山表面技术实验室,天津,300072

4.天津大学化工学院杉山表面技术实验室,天津,300072

基金项目: 国家自然科学基金(50271046) 高等学校博士学科点专项科研项目(20030056034)

关键词：电沉积 , 氧化镍纳米线 , 光电性能 , 光电压 , 面心立方 , 晶粒尺寸

Preparation and photoelectric property of nickel oxide nanowires

通过电沉积法在阳极氧化铝(AAO)模板内制备了镍纳米线,然后在800℃下氧化8 h得到NiO纳米线.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对NiO纳米线的组成、结构和形貌进行了表征,并测试了NiO/AAO阵列体系的光电压.测试结果表明:NiO纳米线为面心立方结构,平均晶粒尺寸为50 nm,纳米线直径约90nm,与模板孔径相当;长度约为25 μm,并受镍纳米线沉积时间的影响;在紫外灯(365 nm)照射下,40V比60V NiO/AAO阵列体系的光电压大.

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